型号:IRF6613 | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:DirectFET? 等容 MT | 描述:MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 23A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3.4 毫欧 @ 23A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.25V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 63nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 5950pF @ 15V |
功率_最大 | 2.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
供应商设备封装 | DIRECTFET? MT |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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